삼성전자가 12일 업계 최초로 '1테라비트(Tb) 쿼드러플레벨셀(QLC) 9세대 V낸드'를 양산했다고 밝혔다.

낸드는 반도체의 셀을 직렬로 배열한 플래시 메모리의 한 종류로, 메모리카드, USB, SSD 등의 저장매체에 사용된다.

이번에 삼성전자가 양산한 QLC 9세대 V낸드는 몰드층을 순차적으로 쌓아올린 뒤, 단 한 번에 전자가 이동하는 홀을 만드는 '채널 홀 에칭' 기술을 활용하여 업계 최고 단수를 구현했다.

특히, 이번 QLC 9세대 V낸드는 셀과 셀의 동작을 관장하는 각종 회로들로 구성된 '페리'의 면적을 최소화하여 이전 세대 QLC V낸드 대비 비트 밀도가 약 86% 증가했으며, 이는 업계 최고 수준이다. 비트 밀도는 단위 면적당 저장되는 비트의 수를 뜻한다.

또한, 셀의 상태 변화를 예측하여 불필요한 동작을 최소화하는 '예측 프로그램' 기술을 적용하여 이전 세대 QLC 제품 대비 데이터 입력 성능은 100%, 출력 속도는 60% 개선했다. 낸드 셀을 구동하는 전압을 낮추고 전력 소모를 최소화한 저전력 설계 기술을 통해 데이터 입력 및 출력 소비 전력도 각각 약 30%, 50% 감소했다.

허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 "최근 인공지능(AI) 수요가 급증하고 있는 기업용 SSD 시장에서의 리더십이 더욱 부각될 것"이라고 밝혔다.

이번 삼성전자의 1Tb QLC 9세대 V낸드 양산은 기업용 SSD 시장에서의 경쟁력을 강화하고, AI 기술 발전에 따른 데이터 수요 증가에 대응하기 위한 것으로 보인다.